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LED衬底第三代半导体SiC技能的兴起ag88环亚国际娱乐平台
来源:未知 作者:admin 发布时间:2018-01-07 16:50 浏览量:

  LED衬底第三代半导体SiC技能的兴起

  第一代半导体资料Si点着了信息产业开展的星星之火,而Si资料芯片也成果了美国硅谷高科技产业群,促进英特尔等国际半导体巨子的诞生,95%以上的半导体器材和99%以上的集成电路都是由Si资料制作。

  

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  现在全球40%能量作为电能被耗费,而电能变换最大耗散是半导体功率器材。从前的国家栋梁Si功率器材已日趋其开展的资料极限,难以满意当今社会开展关于高频、高温、LED衬底第三代半导体SiC技ag88环亚国际娱乐平台。高功率、高能效、耐恶劣环境以及简便小型化的新需求。以SiC为代表的第三代半导体资料凭仗其优异特色,将成为突破口,正在敏捷兴起。

  

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  SiC作为一种宽禁带半导体资料,不光击穿电场强度高、热稳定性好,还具有载流子饱满漂移速度高、能的兴起ag88环亚国际娱乐平台热导率高级特色,能够用来制作各种耐高温的高频、高效大功率器材,应用于Si器材难以担任的场合。

  

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